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汽车用650 V、20 A碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰以及更小的系统尺寸和成本。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

特性:VRRM = 2000V,IF = 50A,VF = 1.5V。 无反向恢复电流/无正向恢复。 高浪涌电流能力。 温度无关的开关特性。 即使在高工作温度下也具有低正向电压。 紧密的正向电压分布。应用:串式三相逆变器。 电动汽车充电

特性:VRRM = 2000 V。 IF = 40 A。 VF = 1.5 V。 无反向恢复电流 / 无正向恢复。 高浪涌电流能力。 温度无关的开关特性。应用:串式三相逆变器。 电动汽车充电

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特性:革命性的半导体材料:碳化硅。 无反向恢复电流/无正向恢复。 温度无关的开关特性。 即使在高工作温度下也具有低正向电压。 紧密的正向电压分布。 出色的热性能。应用:太阳能逆变器。 不间断电源

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。Llew

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碳化硅二极管 SiC SBD 管装 应用于微型逆变、电源、逆变、工控

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碳化硅SiC

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。