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特性:革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用:开关电源(如CCM PFC)。电机驱动

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ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。专有扩散焊接工艺与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这造就了一个新产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充650V CoolMOSTM 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

2 x 650V串联、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

CoolSiC第六代(G6)是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升,引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列,这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。该650V G6碳化硅肖特基二极管旨在与600V和650V CoolMOS 7系列互补,满足该电压范围内最严格的应用要求。

特性:正温度系数。 与温度无关的开关。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器

特性:低正向电压。 可忽略的恢复时间/电流。 与温度无关的开关特性。应用:开关电源。 不间断电源

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特性:增强浪涌和雪崩鲁棒性。 卓越的品质因数 Qc/IF。 高温操作下低正向电压(VF)。 低热阻。 低反向漏电流。 与温度无关的快速开关。应用:医学成像。 高压传感

碳化硅二极管,650V,6A

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SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管,采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计额定电压为600V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构,关断时无恢复,振铃模式可忽略不计。最小电容关断特性与温度无关。ST SiC二极管将提升硬开关条件下PFC操作的性能。

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。 新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

特性:650-伏特肖特基整流器。 更短的恢复时间。 可高速开关。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关模式电源。 功率因数校正

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。专有的扩散焊接工艺,现已与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这产生了一个新产品系列,在所有负载条件下均显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充650V CoolMOSTM 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。