650 V 碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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汽车级 1200V、10A、碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)D2PAK-HV
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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onsemi(安森美)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性与温度无关,且热性能出色,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
onsemi(安森美)TO-247-2LD
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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汽车用650 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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1200V、15A、碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)D2PAK-HV
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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1200 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)TO-220AC-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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抗浪涌电流能力强、零反向恢复,碳化硅肖特基二极管
BASiC(基本)TO-220-2L
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ST(意法半导体)DO-247LL
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关性能基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:开关电源(如CCM PFC)。 电机驱动
Infineon(英飞凌)TO-252-3
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Infineon(英飞凌)TO-263-2
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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onsemi(安森美)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,由于采用新型半导体材料——碳化硅,提供比硅二极管更高的系统效率,支持更高的运行频率,并且有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行
onsemi(安森美)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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650 V 碳化硅功率肖特基二极管
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