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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
onsemi(安森美)TO-247-3LD
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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onsemi(安森美)-
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供出色的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和出色的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和降低的成本。
onsemi(安森美)TO-247-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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特性:超快恢复时间。 软恢复特性。 低正向电压。 低漏电流。 雪崩能量额定。 符合RoHS标准。应用:功率因数校正(PFC)。 反并联二极管
MICROCHIP(美国微芯)TO-247
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
onsemi(安森美)TO-247-2
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1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)DO-247-2
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Infineon(英飞凌)TO-252-3
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
onsemi(安森美)TO-263-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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ST(意法半导体)TO-252-2(DPAK)
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)TO-247-2
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、开关特性不受温度影响以及出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。
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汽车用1200 V、20 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)D2PAK
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