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ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。新的、更紧凑的设计与薄晶圆技术相结合,产生了一系列新产品,这些产品在所有负载条件下都提高了效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(QC x Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列:这确保了满足该电压范围内最严格的应用要求。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

汽车级650 V、10 A DPAK碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术, 能够提供出色的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和出色的 热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

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SiC SBD,1400V,80A,TO247-2L

SiC SBD,1400V,40A,TO247-2L

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碳化硅二极管,1200V,30A

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特性:600-伏肖特基整流器。 零反向恢复电流。 零正向恢复电压。 高频操作。 与温度无关的开关特性。 极快的开关速度。应用:开关模式电源(SMPS)。 PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管

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凭借碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势,电力电子系统有望达到比基于硅的解决方案更高的效率标准,同时还能实现更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求,无需担心热失控。结合 SiC 产品减少的散热要求和改进的热性能,SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的总体系统成本。

特性:低正向电压。 可忽略的恢复时间/电流。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。 低泄漏电流。应用:开关电源。 不间断电源

特性:第四代薄芯片技术,实现低正向电压(VF)。 增强浪涌和雪崩耐受性。 卓越的品质因数(QC/IF)。 低热阻。 低反向漏电流。 温度独立。应用:EV快速充电器。 太阳能逆变器