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DIODES(美台)TO-252(TYPEWx)
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术, 能够提供出色的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和出色的 热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。Llew
onsemi(安森美)TO-263
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。Llew
onsemi(安森美)TO-263
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VISHAY(威世)SlimDPAK
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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DIODES(美台)ITO-220AC(TYPEWx)
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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DIODES(美台)TO-220AC
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Infineon(英飞凌)TO-220-2
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
onsemi(安森美)TO-220-2
二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术, 能够提供出色的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和出色的热 性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
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二极管 / 晶体管碳化硅二极管
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650 V、16 A单路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)TO-247-3
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汽车用650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)DPAK
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。Llew
onsemi(安森美)PQFN-4(8x8)
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VISHAY(威世)TO-220AC
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DIODES(美台)TO-252(TYPEWx)
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VISHAY(威世)TO-220AC
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onsemi(安森美)D2PAK
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汽车级650V、10 A TO-220 D2PAK碳化硅功率肖特基二极管
ST(意法半导体)D2PAK
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