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SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:650V,电流:95A,Rdson:25mR
特性:优化封装,带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:EV 充电器。 太阳能逆变器
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:EV充电。 服务器电源
特性:极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。 完全可控的dv/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
特性:革命性的半导体材料:碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压,与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt,用于电磁干扰优化。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器
碳化硅场效应管
特性:优化封装,带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动
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