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高压型650V平台15A的NMC技术碳化硅器件

特性:高阻断电压,低导通电阻。高速开关,低电容。易于并联,驱动简单。雪崩耐用性。无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。开关电源

耐压:800V 电流:7A N 型 碳化硅 场效应管

耐压:750V 电流:10A N 型 碳化硅 场效应管

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源

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1200V 80mΩ

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:EV充电。 太阳能光伏逆变器

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特性:高速开关,低电容。 高阻断电压,低电阻。 易于并联,驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤,符合RoHS标准。应用:辅助电源。 开关模式电源

碳化硅

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 EV电池充电器

特性:高阻断电压与低导通电阻。高速开关与低电容。易于并联且驱动简单。抗闩锁。无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。开关电源

特性:优化封装,带有独立驱动源极引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V,可承载120A连续电流,广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备出色的导通性能和散热效率,是现代高效能电力控制的理想半导体元件。

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 抗闭锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDS(on))典型值为260mΩ,有助于减少导通损耗,提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力,适用于高效率电源转换系统,如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的直流变换模块以及对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设备。

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