耐压:800V 电流:11A N 型 碳化硅 场效应管
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高压型650V平台12A的NMC技术碳化硅器件
SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:20A,Rdson:80mR
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关模式电源
特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 DC/DC转换器
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动
3300V50mΩ
特性:高速开关,低电容。 高阻断电压,低导通电阻。 易于并联,驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤,符合RoHS标准。应用:辅助电源。 开关电源
SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:25A,Rdson:60mR
公开页面暂无产品说明。
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闭锁。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源
特性:优化封装,带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤素,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动
碳化硅MOSFET产品,N沟道,耐压:650V,100°C电流:100A,RDSON:10mR
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压,导通电阻为165mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温特性和开关性能,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频运行条件下仍能保持良好的热稳定性,适合用于各类高可靠性电力电子系统中。
SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:45A,Rdson:45mR
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SiC MOS,封装:TO-247-4,N场,电压:650V,电流:100A,10V内阻:0.026Ω,功率:350W,CissTyp:3500pF
特性:优化封装,带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动
碳化硅
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