这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计,具备超高的1700V耐压,确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高,最大为1000毫欧,但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提供6安培的电流能力,是特殊高压环境下,追求可靠性和耐用性的理想选择。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-263-7L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:52A,Rdson:32mR
Siliup(矽普)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高速开关。极低的开关损耗。IGBT兼容驱动电压(导通电压为15V)。完全可控的dv/dt。高阻断电压和低导通电阻。快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。应用:车载充电器/PFC。电动汽车电池充电器
SICHAIN(清纯)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:EV充电。 服务器电源
SUPSiC(国晶微半导体)TO247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET; Vdss=650V, Id=105A, Rds(on)=38mΩ Max@18V
AnBon(安邦)TO-247-3
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特性:符合AEC-Q101标准。 低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。应用:汽车。 开关模式电源
ROHM(罗姆)TO-247-4L
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特性:高阻断电压。高频操作。低导通电阻。具有低反向恢复能力的快速本征二极管。100%雪崩测试。应用:电机驱动。太阳能/风能逆变器
LGE(鲁光)TO-247-4
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HUAKE(华科)TO-252
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SiC MOSFET,650V, 45mΩ@18V
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247
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2200V900毫欧
Tokmas(托克马斯)TO-247-3
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NCE(无锡新洁能)QDPAK-22L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压,导通电阻为75mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性,器件在高频工作时表现出优异的开关速度与低损耗性能,适用于高效率电源转换系统。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提升整体能效,并支持紧凑型电路布局与良好的热管理。
HXY MOSFET(华轩阳电子)DFN-5B(8x8)
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:优化封装,带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器
SUPSiC(国晶微半导体)TO247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高速开关。 极低的开关损耗。 高阻断电压与低导通电阻。 与温度无关的关断开关损耗。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:EV 电机驱动。 PV 串式逆变器
SICHAIN(清纯)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:典型导通电阻:在栅源电压为18V时为40mΩ。 超低栅极电荷:Qg(tot)=75nC。 低电容高速开关:Coss = 80pF。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
onsemi(安森美)TO-247-4L
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HUAKE(华科)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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HUAKE(华科)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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HUAKE(华科)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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HUAKE(华科)TO-252
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SUPSiC(国晶微半导体)TO-3PF
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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