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SiC MOSFET,950V, 190mΩ

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闩锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关模式电源

特性:高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT 兼容驱动电压(导通时为 15V)。 完全可控的 dv/dt。 高阻断电压,低导通电阻。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用:车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闭锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闩锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:LED照明电源。 高压DC/DC转换器

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:50A,Rdson:35mR

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻为44mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性,在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源、可再生能源转换系统及大功率充电装置等应用,有助于提升整体能效并简化热管理设计。

特性:高速开关。极低的开关损耗。IGBT 兼容驱动电压(导通时为 15V)。完全可控的 dv/dt。高阻断电压,低导通电阻。快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。应用:车载充电器/PFC。电动汽车电池充电器

碳化硅MOS 驱动电容兼容-4V +15V

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关模式电源

特性:优化封装,带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

特性:第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术。 带驱动源极引脚的低阻抗封装。 漏极和源极之间的爬电距离为7mm。 高阻断电压和低导通电阻。 低电容的高速开关。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用:可再生能源。 高压DC/DC转换器

650V20m欧姆 0负压驱动,原硅MOS驱动不用更改完全兼容

碳化硅MOS 1200V90A 内阻25毫欧

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:95A,Rdson:13.5mR

特性:高阻断电压,低导通电阻。高速开关,低电容。易于并联,驱动简单。抗闭锁。无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。开关电源

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为218A,漏源击穿电压达750V,导通电阻低至11mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下表现出优异的动态性能和较低的能量损耗。其宽栅压范围提升了与多种驱动电路的适配能力,同时具备良好的热稳定性和高效率表现,适用于对功率处理能力和系统紧凑性要求较高的电力电子应用。

该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

SiC MOSFET,1700V, 380mΩ

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