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SiC MOSFET,950V, 260mΩ

特性:高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT 兼容驱动电压(导通电压为 15V)。 完全可控的 dv/dt。 高阻断电压和低导通电阻。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用:车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器

本款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)采用宽禁带半导体材料,具备出色的高温与高频率工作性能。其主要参数包括:漏极电流ID为6A,漏源电压VDSS高达1700V,导通电阻RDON为700mΩ。高耐压特性使其适用于高压电源转换和功率开关电路,在高频应用中表现出优异的效率与稳定性。该器件适合用于高性能电源、新能源系统以及精密电子设备中的功率控制单元,满足对可靠性与能效有较高要求的电路设计需求。

特性:典型导通电阻 RDS(on) = 65 mΩ(VGS = 18 V)。 超低栅极电荷(QG(tot) = 57 nC)。 低电容高速开关(Coss = 57 pF)。 100%雪崩测试。 该器件无卤,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连无铅。应用:太阳能逆变器。 电动汽车充电站

特性:优化封装,带有独立的驱动器源极引脚。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达49A,漏源电压VDSS最高支持650V,导通电阻RDON低至33mΩ,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。器件采用成熟工艺制造,具有良好的热稳定性和可靠性,适合应用于服务器电源、通信设备、新能源及高性能计算等领域的同步整流、DC-DC转换和功率开关场景。

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:35A,Rdson:48mR

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具有出色的导电能力和高效的开关特性。其最大连续漏极电流可达36A,导通电阻仅为80mΩ,能够在高电压和大电流环境下稳定运行。碳化硅材料的使用有效降低了开关损耗,提高了器件在高温、高压条件下的可靠性。适用于新一代高效电源系统、能源转换装置及高性能电子设备中的功率控制单元。

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙SiC材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。

特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 用于硬换相的坚固体二极管。应用:能源生产。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V、63 mOhm(典型值)、30​​ A,采用 HU3PAK 封装

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SiC MOSFET,650V,320mΩ

SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:10A;VGS:±22V;VTH:2.6V;RDS(ON):360mΩ;PD:68W

SiC MOSFET,650V,190mΩ

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该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压额定值(VDSS)和15A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDS(on))低至260mΩ,可有效降低功率损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定栅极驱动与阈值控制。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的高频开关性能、高温稳定性和低反向恢复电荷,适用于高效率、高频率的电力转换场景,如大功率开关电源、可再生能源逆变系统、储能装置的功率变换模块以及对热性能和空间布局要求较高的电子设备。

该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压(VDSS)和14.3A的连续漏极电流(ID),导通电阻为230mΩ,适用于高电压、高效率的开关应用。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定的栅极驱动控制。采用碳化硅材料,显著提升器件的耐压能力与开关速度,同时降低导通与开关损耗。其特性适合用于高压电源转换、可再生能源发电系统、不间断电源(UPS)以及高功率密度DC-DC变换器等场景,尤其在需要提升能效和热管理性能的系统中表现出色。

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源

中低压SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:25A,Rdson:60mR