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特性:高阻断电压,低导通电阻。高速开关,低电容。易于并联,驱动简单。雪崩耐用性。无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。开关电源

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:52A,Rdson:32mR

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至165mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V,具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。得益于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性,器件可在高频、高温环境下可靠运行,广泛用于高效电源模块、可再生能源逆变系统、高密度开关电源及高压直流变换装置中,有助于提升系统整体能效与功率密度。

SIC MOSFET 750V40mΩ

SiC MOS,封装:TO-247,N场,电压:650V,电流:75A,10V内阻:0.038Ω,功率:275W,CissTyp:1850pF

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 高压DC/DC转换器

该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为处理650V高电压、大电流应用设计。具备29A连续电流承载能力,广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和高效散热性能,是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。

此款碳化硅MOS器件,专为高性能电源管理系统打造,耐压等级达到650V,确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧,优化了导通性能,有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力,适合于中等功率应用,平衡了功率与效率的需求,是现代高效能电子产品设计的理想组件。

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本产品为N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具有优异的导电性能与高效的开关特性。其漏极电流ID可达49A,漏源电压VDSS最高支持650V,导通电阻RDON低至33mΩ,适用于高频率、高效率的电力转换场景。该器件基于碳化硅材料,具备良好的热稳定性和耐高压能力,适合用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制等领域的功率管理应用。

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本款N沟道场效应管(MOSFET)具有优异的电性能和可靠性,适用于多种高效率电源管理系统。其主要参数包括:漏极电流ID为120A,漏源击穿电压VDSS达650V,导通电阻RDON低至15mΩ,有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用标准封装形式,具备良好的热稳定性和耐高温能力,适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及高密度电力电子设备中的功率调节与管理环节,满足对性能与空间优化有较高要求的应用场景。

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Q)。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管(MOSFET),具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID可达165A,导通电阻RDON低至13毫欧,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。碳化硅材料的使用使其具备更高的击穿电场强度和热导率,适用于高电压、高频率和高功率密度的电源转换系统。该器件可广泛应用于高效能电力电子设备中,如智能电网、可再生能源系统及高精度电机控制模块,为系统提供稳定、可靠的电力支持。

碳化硅

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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至160mΩ,可显著降低功率损耗。其栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定的栅极驱动与可靠的工作特性。碳化硅材料赋予器件优异的高温工作能力、快速开关速度和高耐压性能。适用于高效率、高频率的电力转换系统,如大功率开关电源、可再生能源逆变装置、储能系统的能量管理模块以及高功率密度电源设备,有助于提升系统能效,减小散热需求,并支持紧凑型设计。

SiC MOSFET,1200V,80mΩ

SiC MOS,封装:TO-247,电压:650V,电流:60A,10V内阻:0.12毫欧,功率:250W,CissTyp:1050pF

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源击穿电压(VDSS)和20A连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))典型值为160mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用宽禁带半导体材料,具有优异的高频开关性能与高温工作能力。适用于高效率电源转换系统,如大功率开关电源、不间断电源(UPS)、储能系统中的DC-DC变换器及光伏逆变模块,有助于提升系统能效并减小被动器件体积。