Clestek · 电子元器件型号库
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该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID达99A,漏源击穿电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件具备高耐压与低导通损耗特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景,可在高频开关条件下保持稳定性能,适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效能电能变换装置中。
特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 优化封装,带有独立驱动源引脚。 漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为45mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件结合碳化硅材料特性,在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了与不同驱动电路的适配能力,同时在高温或严苛电气环境中保持良好的稳定性与可靠性。
基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,650 V产品可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现经济高效、高度高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。
碳化硅功率 MOSFET 650 V、18 mOhm(典型值)、119 A,采用 HiP247-4 封装
SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:7.5A;VGS:±22V;VTH:3.2V;RDS(ON):560mΩ;PD:31W
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SIC MOS,封装:TO-252,电压:650V,电流:20A,10V内阻:0.18欧,功率:85W,Cisstyp:350pF
耐压:750V 电流:28A N 型 碳化硅 场效应管
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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)低至160mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的优异特性,器件具备高耐温能力、快速开关响应和高耐压性能,适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用包括高性能电源适配器、可再生能源发电系统中的逆变单元、储能系统的功率调节模块以及高密度开关电源设计,有助于提升转换效率并减少系统热耗。
本款N沟道场效应管(MOSFET)具有1500V的漏源击穿电压(VDSS)和3.7A的连续漏极电流(ID),适用于中高电压功率控制应用。导通电阻为1000mΩ(RDON),在保证良好导电性能的同时降低了功耗,栅源电压(VGS)最大支持20V,增强了器件的控制精度与稳定性。该器件适合用于电源转换、LED驱动、电机控制等电子电路中,具备良好的热稳定性和可靠性,可满足多种高性能功率电路的设计需求。
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的额定漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为260mΩ,有助于降低导通损耗。栅源电压(VGS)支持-5V至+16V范围,确保驱动可靠性与灵活性。采用碳化硅材料,具备优异的耐高温与高频特性,适用于高效率开关电源、直流变换模块及可再生能源发电中的功率转换电路。其低损耗和高热导率特性,有利于提升系统整体能效与功率密度,适合严苛的电力电子应用环境。
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(ON))为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性,该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(on))为550mΩ,在高频或高温环境下仍能保持稳定性能。栅源驱动电压范围(VGS)为-8V至+20V,具备良好的驱动兼容性与抗误触发能力。得益于碳化硅材料的特性,器件在开关速度和热管理方面表现优异,适用于高效率、高功率密度的电源转换、可再生能源系统及各类电力电子设备中。
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为550mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温稳定性和开关性能,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性,同时低导通损耗有助于提升系统整体能效。
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和7.1A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为410mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V,适用于多种驱动电路配置,同时提供良好的栅极可靠性。凭借碳化硅材料的固有优势,该器件在高频开关条件下具有较低的开关损耗和优异的热性能,适合用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子应用。
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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压(VDSS)和6.8A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为460mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性,该器件适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器、光伏逆变装置及高功率密度电源模块等应用,可在高电压、高温环境下保持良好性能,有效减少能量损耗并优化热管理设计。
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