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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为4.2A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为1555mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具备较高的耐压能力和良好的高温工作特性,适用于中低功率的高频开关应用。其结构支持在高电压环境下稳定运行,同时保持较低的开关损耗,适合对体积和效率有一定要求的电源转换系统。

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该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至165mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的开关性能和高温工作能力,可有效降低系统损耗。典型应用包括高压电源、DC-DC变换器、光伏逆变系统及储能装置中的高频功率拓扑,适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子场景。

本款N沟道场效应管(MOSFET)具备1500V的漏源耐压(VDSS)和3.7A的连续漏极电流(ID),适合对电压耐受能力有较高要求的电路环境。导通电阻为1000mΩ(RDON),在开关与功率调节过程中能保持较低的导通损耗。栅源电压(VGS)最大支持20V,有助于提升器件控制精度与稳定性。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明以及各类中高电压电子系统中,适用于需要高效能与可靠性的通用型功率电路设计。

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:20A,Rdson:80mR

本产品为N沟道碳化硅场效应管,具备650V漏源电压(VDSS)和24A连续漏极电流(ID),导通电阻低至110mΩ,可有效减少功率损耗。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低导通特性,该器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能与热稳定性。适用于高效率电源转换系统,如大功率适配器、服务器电源模块、可再生能源发电单元及高性能逆变设备,尤其适合对散热设计和空间利用率有较高要求的紧凑型电子装置。

该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的漏极电流能力,漏源击穿电压为800V,导通电阻为165mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性,适合在高频、高效率的电源拓扑中使用,如开关电源、光伏逆变器及高密度功率转换模块。其参数组合有助于降低系统能耗并简化热管理设计。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为37A,漏源电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)为94mΩ,栅源电压VGS工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高电压应用中展现出较低的导通与开关损耗,适用于高频电源转换、高效能电力电子系统等场景,能够在提升系统效率的同时减少散热需求。

本款N沟道场效应管(MOSFET)具备1500V的漏源耐压(VDSS),可支持最大3.7A连续工作电流(ID)。其导通电阻(RDON)为1000mΩ,配合20V栅源电压(VGS)可实现稳定开关控制。该器件适用于高电压隔离、电源转换及功率调节等应用场合,具备良好的热稳定性与动态响应特性。通过优化设计,确保在高频操作下仍能维持较低损耗,适合用于各类高效能电源管理系统中,提供可靠的功率控制解决方案。

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本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具备1500V的漏源耐压(VDSS)和20V的栅源电压(VGS)能力,适合高电压应用场景。在导通状态下,其最大漏极电流可达3.7A(ID),导通电阻为1000mΩ,能够有效支持高效能电力传输与切换操作。该器件广泛应用于电源管理、开关电路、直流转换器及高电压控制等场景,提供稳定可靠的性能表现。

该N沟道碳化硅MOSFET具有24A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为95mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势,在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗,并具备良好的高温工作能力。适用于高效率电源系统、可再生能源转换设备以及对热管理与体积有较高要求的功率电子模块,有助于实现紧凑且高效的电路设计。

本产品为N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具备高电流承载能力,连续漏极电流ID可达52A,漏源击穿电压VDSS为650V,确保在高压环境下稳定工作。导通电阻RDON低至40mΩ,有效降低导通损耗,提高系统效率。碳化硅材料的使用赋予器件优异的热稳定性和高频工作能力,适用于电源转换、高效能电机控制及精密电力电子装置,为复杂电路设计提供可靠的技术支持。

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碳化硅

碳化硅MOS 1200V60A 内阻40毫欧

1200V 58A 1.2KV 58A 碳化硅MOSFET SiC MOS 应用于光伏逆变器、工控、工业电源、电动车充电桩、储能

本款N沟道场效应管(MOSFET)具备高耐压与低导通电阻特性,适用于多种高效能电力电子应用。其主要参数包括:漏极电流ID为32A,漏源击穿电压VDSS高达1200V,导通电阻RDON为75mΩ,能够在高压环境下实现较低的功率损耗。该器件具备良好的热稳定性和耐用性,适合用于开关电源、逆变器、高精度电机控制电路以及各类中高功率转换系统中,适用于对电气性能和可靠性有较高要求的设计场景。

碳化硅功率MOSFET:55 A、1700 V、70 mOhm(典型值,Tj = 150 C),N沟道,HiP247封装

本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具有1500V漏源击穿电压(VDSS)和20V栅源电压(VGS)耐受能力,适用于高电压工作环境。在导通状态下,最大漏极电流可达3.7A(ID),导通电阻为1000mΩ,具备良好的电流承载与低损耗特性。该器件常用于电源转换、开关控制、直流稳压及高电压调节等电路设计中,满足对性能与稳定性有要求的电力电子应用需求。