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该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID达70A,漏源击穿电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)典型值为44mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件具备高耐压与低导通损耗特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景,可在高频开关条件下保持稳定性能,适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效能电能变换装置中。

该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID达99A,漏源击穿电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性,在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的动态性能与热稳定性,适用于对开关速度和能效要求较高的电源系统。

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备49安培的电流承载能力(ID),以及650伏特的最大阻断电压(VDSS)。其导通状态下的低电阻特性(RDSON为33毫欧)使其在高频开关应用中表现出色。此器件支持从-5伏到+20伏的栅源电压(VGS),适用于需要快速切换和能量效率的关键电路设计中,如高性能计算硬件或消费电子产品中的电源管理模块。

该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流(ID)与650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))为20mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料,在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能,有效降低功率损耗。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景,能够在较高结温下稳定工作,提升整体系统可靠性与能效表现。

该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性,器件在高频、高压工作条件下展现出更低的开关损耗与更高的效率。适用于对能效和功率密度要求较高的电源转换、可再生能源系统及高频率电力电子装置,能够在严苛电气环境中保持稳定可靠的性能表现。

该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流(ID)达55A,漏源击穿电压(VDSS)为650V,导通电阻(RDS(on))典型值为45mΩ,栅源驱动电压范围(VGS)为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料特性,在高频、高效率应用场景中展现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换系统。其低导通损耗与宽驱动电压窗口有助于简化驱动电路设计并提升整体系统可靠性。

常温下耐压高达650V负载电流可达120A的碳化硅MOSFET

特性:高速开关。 极低的开关损耗。 高阻断电压和低导通电阻。 与温度无关的关断开关损耗。 无卤,符合RoHS标准。应用:PV串式逆变器。 太阳能功率优化器

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常温下耐压高达1200V负载电流可达165A的碳化硅MOSFET

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具备优异的导通与开关性能。在25°C条件下,连续漏极电流可达36A,导通电阻低至80mΩ,适用于高效率、高频率的功率变换场景。碳化硅材料的采用显著降低了开关损耗,提升了器件在高压和高温环境下的稳定性与可靠性。该器件广泛应用于能源、通信及智能设备中的电源转换模块,支持高效能与紧凑型设计需求。

SiC MOSFET; Vdss=1200V, 104A,24mΩ Max@18V

特性:典型导通电阻:在栅源电压为 18V 时为 65mΩ。 超低栅极电荷(总栅极电荷 QG(tot) = 57nC)。 低电容高速开关(输出电容 Coss = 57pF)。 100% 雪崩测试。 该器件无卤化物,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连无铅。应用:太阳能逆变器。 电动汽车充电站

该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻低至26mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。

特性:C3M SiC MOSFET技术。高阻断电压,低导通电阻。高速开关,低电容。快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)。无卤,符合RoHS标准。更高的系统效率。应用:可再生能源。电动汽车电池充电器

特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器和太阳能优化器

该N沟道碳化硅MOSFET具有165A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压达750V,导通电阻低至11mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效,适合用于对性能和可靠性要求较高的电力电子应用场合。

该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为26mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中表现出较低的导通损耗与开关损耗,同时具有良好的热导性能和稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换系统,可在严苛电气环境下维持可靠运行。

特性:C3M SiC MOSFET技术。 优化封装,带有独立驱动源引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)。应用:EV充电器。 太阳能逆变器

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