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本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具有1500V漏源耐压(VDSS)和20V栅源电压(VGS)能力,适用于高电压工作场景。其最大漏极电流3.7A(ID),导通电阻为1000mΩ,具备良好的电流承载性能和较低的导通损耗。该器件常用于电源转换、开关控制、直流变换及高压调节等电路设计中,满足对效率与稳定性有要求的电力电子应用需求。

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,确保了驱动兼容性与工作稳定性。得益于碳化硅材料的优异特性,该器件可在高频、高温及高压环境下保持低开关损耗与导通损耗,广泛应用于开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块及高密度电源转换装置中,满足对能效与功率密度有较高要求的场景。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压(VDSS)和15A连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,有助于减少功率损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定的驱动控制。依托碳化硅材料的高耐压、低开关损耗特性,该器件适用于高频高压工作环境,典型应用包括高效开关电源、大功率DC-DC变换器、不间断电源、储能系统中的功率转换模块以及高性能逆变设备,能够满足对能效、热管理和空间利用率有较高要求的电源设计需求。

耐压:800V 电流:11A N 型 碳化硅 场效应管

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源耐压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至260mΩ,适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V,确保了可靠的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的特性,该器件具备优异的开关性能和热稳定性,可工作在较高结温环境下。典型应用包括高效开关电源、DC-DC转换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块,适用于对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的额定漏极电流(ID),导通电阻(RDON)低至260mΩ,可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性,器件具有优异的耐高温性能和快速开关能力,适用于高频率、高效率的电力转换电路。典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源、可再生能源发电系统中的功率变换模块,有助于提升系统功率密度与能效水平。

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能,该器件可在高频、高温环境下可靠运行,广泛用于电源适配器、光伏逆变系统及高效开关电源模块中,有效降低开关损耗,提升系统整体能效。

该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压(VDSS)和11A的连续漏极电流能力,导通电阻(RDS(ON))为712mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的物理特性,该器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高频DC-DC变换器等场合。

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,确保了稳定的开关特性与可靠的栅极控制。采用碳化硅材料,提升了器件的耐压能力与开关速度,可有效降低系统损耗。广泛用于高功率密度电源转换装置,如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块,适合对热性能和电气性能有严苛要求的场景。

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和6.8A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至460mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V,具备良好的开关特性和热稳定性。基于碳化硅材料的特性,器件在高频、高压工作环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗,适合用于电源适配器、光伏逆变系统及高效能直流变换模块等应用场合,可提升整体系统能效并减小散热设计负担。

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源击穿电压,连续漏极电流达15A,导通电阻典型值为260mΩ,在高温与高频工作环境下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围为-5V至+16V,确保了器件的稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料,显著降低开关损耗,提升系统整体能效。适用于高功率密度电源转换装置,如高效开关电源、太阳能逆变系统及高压直流变换模块,可有效提升系统效率并减小散热设计负担。

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的额定漏极电流(ID),导通电阻(RDON)典型值为260mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压(VGS)支持-5V至+16V范围,确保可靠的栅极驱动控制与器件稳定性。基于碳化硅材料的特性,该器件具备优异的高频开关能力、耐高温性能及较低的反向恢复电荷。适用于高效率开关电源、直流变换模块、光伏逆变单元及高功率密度电源系统,适合在高频率、高热应力环境下工作的电力电子电路中使用。

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和6.8A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至460mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V,具备良好的开关特性与热稳定性。器件利用碳化硅材料优势,支持高频工作,降低开关损耗,适用于高密度电源系统,如高效能适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置,能够在严苛环境下保持稳定性能。

公开页面暂无产品说明。

该碳化硅场效应管为N沟道结构,额定漏极电流ID为9.3A,漏源击穿电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)为410mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具有较高的耐压能力和良好的开关性能,适用于中低功率的高效电源转换场合。其较宽的栅极驱动电压范围增强了与不同驱动电路的适配性,而明确的电气参数有助于在紧凑型设计中实现稳定可靠的开关操作。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)达9.3A,导通电阻(RDS(on))为410mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,确保在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性,器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率开关功能。

该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流能力,最大漏源电压达900V,导通电阻为712mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具有优异的高温性能和开关特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其高耐压与低导通损耗特性,使其在高频运行条件下仍能保持较低的热应力,适合用于各类高效电力电子系统中的开关应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)、9.3A的连续漏极电流(ID)和410mΩ的导通电阻(RDS(on)),栅源电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备高耐压能力与较低导通损耗,在高频开关条件下仍能保持良好性能,适用于对效率、热管理和空间布局有较高要求的电源转换及能量处理系统。

该碳化硅场效应管为N沟道结构,额定漏极电流ID为10.2A,漏源击穿电压VDSS达800V,导通电阻RDS(ON)为550mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性,在高耐压条件下仍能维持稳定的开关行为,适用于对电压裕量和可靠性要求较高的电源系统。其驱动电压范围支持多种控制电路接口,有助于简化栅极驱动设计,同时明确的参数指标便于在高频或高效率应用场景中进行精确选型与布局。

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和6.8A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))典型值为460mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料,器件具有优异的耐压能力与热导性能,适用于高频率、高效率的开关电源、直流电压变换电路及可再生能源发电系统中的功率转换模块,有助于提升系统功率密度并减少能量损耗。