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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)典型值为160mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高开关速度与耐高温特性,该器件适用于高频率、高效率的功率转换电路,如大功率开关电源、光伏逆变装置及高密度电源系统,能够满足对能效和功率密度有较高要求的应用场景。

该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为800V,导通电阻为165mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性,在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热性能和空间布局有严苛要求的电力电子应用。其负向栅压耐受能力有助于提升关断可靠性。

常温下耐压高达1700V负载电流可达5A的碳化硅MOSFET

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,确保了驱动兼容性与工作稳定性。得益于碳化硅材料优异的开关特性与耐高温性能,该器件可在高频、高压环境下可靠运行,广泛用于开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等应用场合,有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。

该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高阻断电压和5A的持续漏极电流能力,导通电阻典型值为800mΩ,可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的耐压性能和开关特性,适用于高效率、高频率的电力转换场合。其高热导率和耐高温能力有助于提升系统在严苛环境下的稳定性。典型应用包括高压直流变换、大功率开关电源及要求紧凑设计与高可靠性的电力电子装置,适合对功率密度和能效有较高要求的系统集成。

该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性,在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:23A,Rdson:69mR

碳化硅MOSFET应用于新能源汽车主逆变器、光伏风电储能变流器、工业电机驱动、快充电源、轨道交通等领域

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SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:14A,Rdson:155mR

该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID为37A,漏源击穿电压VDSS达650V,导通电阻RDS(ON)为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,具备高耐压、低导通损耗及优异的高频特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统,可在高开关频率下保持较低的热损耗,提升整体能效表现。

该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性,器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换及电力电子应用,有助于简化散热设计并提升系统整体效率。

该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,具备优异的高温稳定性和高频开关能力,在高效率电源系统、可再生能源转换装置以及高功率密度电力电子设备中可有效降低导通与开关损耗,提升整体能效和系统响应速度。

该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件依托碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性,在高频开关应用中可实现高效能转换,适用于通信设备电源、光伏逆变系统以及高密度开关电源等对效率与体积有严苛要求的场合。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)达18A,导通电阻(RDS(ON))为94mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺,具备高击穿电场强度与低导通损耗特性,适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力,在硬开关或软开关拓扑中均可实现稳定的开关性能和较低的温升。

该N沟道碳化硅MOSFET具备18A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为94mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具有优异的高温特性和开关性能,适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效,适合用于对体积和热管理有较高要求的电力电子装置中。

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性,具备优异的高频开关性能与高温稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统,如服务器电源、通信电源及可再生能源逆变器等场景,能够有效降低导通与开关损耗,提升整体能效表现。

这是一款N沟道增强型功率场效应管,具有1700V的高漏源击穿电压(VDSS),可持续通过5A的漏极电流(ID)。其导通电阻(RDON)典型值为800mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。栅源额定电压为±22V,具备较好的栅极驱动兼容性与可靠性。该器件适用于高电压、中等电流的开关电源、逆变系统及高压功率控制场合,能够满足对耐压与效率有较高要求的应用场景,是构建高压功率转换电路的优选器件之一。

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻RDS(ON)为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率,器件在高频开关和高效率功率转换场景中表现出较低的导通与开关损耗,适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源系统。

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性,同时在高温运行环境中保持良好的电气稳定性。