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该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高电压应用设计。额定电流18A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度,是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。

该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性,器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对功率密度和散热性能有较高要求的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为95mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温工作能力,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效,同时简化散热设计。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为95mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中,能够在严苛工作条件下保持较低的开关损耗与导通损耗,提升整体能效表现。

该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力,漏源击穿电压为800V,导通电阻为165mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。其采用碳化硅材料,具有较低的导通与开关损耗,以及良好的高温工作稳定性。适用于对效率和体积有较高要求的电源系统,如通信设备供电、可再生能源转换装置、高频开关电源及高密度功率模块等场景。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为55A,漏源电压额定值为650V,导通电阻为45mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺,在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源、可再生能源接入设备及高功率密度的电力电子系统。其低RDS(on)有助于降低导通阶段的功率耗散,而宽VGS范围则增强了与多种驱动电路的兼容性,提升系统运行的可靠性与稳定性。

这是一款N沟道增强型功率MOSFET,具有1700V的高漏源击穿电压(VDSS),支持5A连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为800mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统能效。栅源电压范围为±22V,具备较强的驱动适应性与栅极可靠性。该器件适用于高电压开关电源、高压直流变换、逆变电路及功率调节装置,可在高电磁干扰环境下稳定工作,适用于对耐压能力与导通性能有要求的功率转换应用,满足多种高压场景下的电能控制需求。

本产品为650V N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),具备良好的导通特性和开关性能。其最大漏极电流ID为29A,导通电阻RDON低至60mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统能效。器件采用成熟半导体工艺制造,具备较高的耐用性和稳定性,适用于多种高性能电源转换场景,如高效节能电源、智能电网设备及可再生能源系统中的功率控制单元。

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V,连续电流高达36A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势,是现代能源管理系统的核心器件。

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为75mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中,能够在严苛电气环境下实现低损耗与高可靠性运行。

SiC MOSFET; Vdss=1200V, Id=83A, Rds(on)=38mΩ Max@18V

商品目录 碳化硅MOS管 ;漏源电压(VDS)1700 V;漏极电流 (ID@25°C)7.0A;RDS(ON)650mΩ;耗散功率(PD)62W

这款碳化硅场效应管具有32A的电流承载能力和1200V的耐压特性,内阻典型值为75mΩ,适用于高要求场景。其N型结构和15V的栅源极电压使其在高频开关应用中表现出色,提升了系统的效率和可靠性。

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对热性能要求较高的电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性,并在高温环境中维持稳定的电气特性。

常温下耐压高达1200V负载电流可达63A的碳化硅MOSFET

常温下耐压高达1200V负载电流可达63A的碳化硅MOSFET

基于第二代碳化硅沟槽技术,可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为99A,漏源击穿电压VDSS达650V,导通电阻RDS(ON)为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借低导通电阻和高耐压能力,适用于高效率、高开关频率的电力电子系统,如数据中心电源、通信设备供电模块及太阳能逆变装置,在高频运行条件下可有效降低损耗并提升系统整体能效。

本N沟道场效应管(MOSFET)具有高性能开关与导通能力,适用于多种高功率电子系统。其漏源电压(VDSS)为650V,支持高压环境下的稳定运行;最大漏极电流(ID)可达49A,满足较大功率输出需求。导通电阻(RDON)低至33mΩ,有助于降低能耗并提升效率。器件适用于各类电源变换装置、高效能电机驱动、储能管理系统及高频电子设备中的开关控制电路,提供可靠且高效的性能表现。

特性:高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT兼容驱动电压(导通时为15V)。 完全可控的dv/dt。 高阻断电压和低导通电阻。 具有低反向恢复的快速本征二极管(Qrr)。应用:车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器