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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A,漏源电压耐压达800V,导通电阻为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具备优异的高温稳定性和高频开关能力,导通与开关损耗较低。适用于高效率电源转换场合,如通信电源、光伏逆变系统、不间断电源及高频DC-DC变换器等应用,可在紧凑布局中实现更高的功率密度与系统效率。

本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至165mΩ,可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25V,确保驱动稳定性与器件可靠性。基于碳化硅半导体材料,具备优异的高频开关能力、高温工作性能及较低的开关损耗。适用于高效率电源转换系统,如大功率开关电源、高压直流变换模块、光伏发电逆变单元以及储能设备中的功率级电路,适合在对能效、热管理和功率密度有较高要求的应用中使用。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)为5.3A,导通电阻(RDS(on))为820mΩ。其栅源驱动电压范围(VGS)为-8V至+19V,支持较宽的驱动电平,有助于提升开关可靠性。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温性能与开关特性,适用于高频电源转换、光伏逆变器、服务器电源及高效率充电设备等对能效和体积敏感的应用场合。

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源耐压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))典型值为110mΩ,有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料,具有优异的高温工作性能和开关特性,适用于高功率密度电源系统。常见于高效直流-交流逆变装置、高压直流变换拓扑及高频开关电源模块中,可提升系统效率并减少散热设计负担。

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩坚固性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源

常温下耐压高达1200V负载电流可达36A的碳化硅MOSFET

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和20A的额定漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为160mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压(VGS)支持-5V至+16V范围,确保开关动作的稳定性与可靠性。采用碳化硅材料,器件具有优异的耐高温性能和快速开关特性,适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高压电源、可再生能源逆变系统、储能设备中的功率变换模块,以及对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有良好的高压耐受与导通性能。其额定漏极电流ID为19A,导通电阻RDON为160mΩ,能够在高电压环境下实现较低的导通损耗。碳化硅材料的使用提升了器件的热稳定性与能效表现,适合对功率密度和转换效率有较高要求的应用场景。该MOSFET可广泛应用于高效电源系统、智能能源管理、精密电子设备及高性能电力转换装置中,为电路设计提供稳定的技术支持。

超结MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:40A,RDSON:40mR

SIC MOSFET 750V60mΩ

常温下耐压高达650V负载电流可达52A的碳化硅MOSFET

该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压,导通电阻低至94mΩ,可在栅源电压范围-10V至+25V内可靠运行。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率,器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备,有助于提升系统整体性能与可靠性。

1200V 38A 1.2KV 38A 碳化硅MOSFET SiC MOS 应用于光伏逆变器、工控、工业电源、电动车充电桩、储能

本产品为N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),具有较高的电压耐受能力和稳定的开关性能。主要参数包括:最大漏极电流ID为3.7A,漏源击穿电压VDSS达1500V,导通电阻RDON为1000mΩ,栅源电压范围为±20V。适用于电源适配器、开关电源、LED驱动模块及各类中高电压电子设备中的高频开关应用,能够满足对效率与稳定性有较高要求的电路设计需求。

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为75mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温性能与开关特性,适用于高效率、高频率的电力转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效,适合用于对体积与热管理有较高要求的电源模块及高频逆变结构中。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)达36A,导通电阻(RDS(on))为75mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备低导通损耗与优异的开关性能,适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高频电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与运行稳定性。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为14A,漏源击穿电压为650V,导通电阻典型值为260mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势,在高电压条件下实现低导通损耗与快速开关特性,同时具备良好的高温稳定性。其N沟道结构与宽栅压范围适配多种驱动方案,适用于对转换效率、热管理和开关频率有较高要求的电源系统。

这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计。额定电流19A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性,是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。

2200V1000毫欧

本款碳化硅N沟道场效应管(MOSFET)具备1200V的漏源击穿电压(VDSS),支持7A连续漏极电流(ID),导通电阻为320mΩ(RDON),展现出优异的高压与高频工作性能。凭借碳化硅材料特性,该器件在高温、高频率环境下仍能保持稳定运行,适用于电源转换、无线充电、光伏逆变等高效率电路系统。其高耐压能力和良好的导电性能,使其成为高性能电力电子装置的理想选择。