Clestek · 电子元器件型号库
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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为70A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为36mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具备低导通损耗与优异的高频开关特性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中,能够在高温和高频率工作条件下保持稳定性能。
特性:典型导通电阻:VGS = 15V时为60mΩ;VGS = 18V时为43mΩ。 超低栅极电荷:典型值QG(tot) = 87nC。 低有效输出电容:典型值CSS = 113pF。 100% UIL测试。 符合RoHS标准。应用:UPS。 DC/DC转换器
该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为1200V高电压应用设计,额定电流高达63A。适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统,具备卓越的高温稳定性、低导通电阻和快速开关性能,是现代高效能源管理与功率控制的理想选择。
该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的漏极电流额定值,漏源击穿电压为650V,导通电阻为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料,具备低导通损耗与优异的高温工作能力,适用于高效率、高开关频率的电源转换场合,如通信电源、光伏逆变系统及大功率充电设备等,在提升系统整体能效与功率密度方面具有显著优势。
特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器
该N沟道碳化硅MOSFET具有116A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为20mΩ,栅源电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,在高频开关条件下展现出优异的导通特性和较低的开关损耗,同时具备良好的高温稳定性和热传导能力。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统,如数据中心供电、可再生能源转换装置及高频开关电源等应用场合。
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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)、73A的连续漏极电流(ID)和26mΩ的导通电阻(RDS(on)),栅源驱动电压范围为-10V至+25V。其低导通电阻与高耐压特性结合碳化硅材料的高频优势,可在高效率电源转换、数据中心供电系统、光伏逆变器及高密度电力电子设备中实现优异的开关性能与热管理表现。
特性:VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDDC = 36 A at TC = 100°C。 RDSS(on) = 39.6 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 非常低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200°C。 短路耐受时间 2 μs。应用:EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS
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特性:极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强,可施加0V关断栅极电压。 用于硬换流的坚固体二极管。应用:驱动器。 基础设施-充电器
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碳化硅功率 MOSFET 1200 V、62 mOhm(典型值)、36 A,采用 HiP247-4 封装
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这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
特性:典型导通电阻 RDS(on) = 40 mΩ(VGS = 18 V 时)。 超低栅极电荷(QG(tot) = 75 nC)。 低电容高速开关(Coss = 80 pF)。 100% 雪崩测试。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 该器件无卤化物,符合 RoHS 豁免 7a 要求,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器
特性:在Tvj = 25°C时,VDSS = 2000V。 在Tc = 25°C时,IDCC = 34A。 在VGS = 18V、Tvj = 25°C时,RDSS(on) = 75mΩ。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 适用于硬换向的稳健体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器
基于第二代碳化硅沟槽技术,650 V MOSFET 可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。
特性:可高速开关。 极低的开关损耗。 高阻断电压,低导通电阻。 关断开关损耗与温度无关。 超低热阻。 背面绝缘。应用:太阳能功率优化器。 UPS系统
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