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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压(VDSS)、11A的连续漏极电流(ID)以及165mΩ的导通电阻(RDS(on)),栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗,并具有良好的高温工作能力。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对体积和能效有较高要求的电力电子应用。

SiC MOS,650V,60mR,TO247Plus-4L

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A,漏源电压耐受能力达800V,导通电阻为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备低开关损耗与高耐压特性,适用于高频电源转换、光伏逆变、储能系统及高效率开关电源等场景。其稳定的电气性能有助于在严苛工作条件下维持高效运行,并简化热管理设计。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为18A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料构建,具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块,在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定电气性能。

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该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流,漏源击穿电压为800V,导通电阻为165mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高电压应用中展现出较低的导通损耗和良好的开关性能。适用于对效率与热管理有较高要求的电源转换系统,可在高频工作条件下维持稳定运行,满足紧凑型高耐压电路的设计需求。

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

SiC MOSFET ,1200V,80mΩ

这是一款N沟道增强型高压场效应管,具备1700V的漏源击穿电压(VDSS),可承载5A连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为800mΩ,有助于减少导通损耗,提升系统能效。栅源电压范围为±22V,具备良好的驱动兼容性与栅极保护能力。器件适用于高耐压需求的开关电源、直流变换器、高压逆变电路及功率控制模块,在需要高电压隔离与效率平衡的应用中表现出色,适用于复杂电磁环境下的稳定功率切换与能量管理场景。

该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为800V,导通电阻典型值为165mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子系统。得益于碳化硅材料特性,器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗,适合用于高效率电源转换、可再生能源逆变器及各类中高压功率管理场景。

常温下耐压高达650V负载电流可达39A的碳化硅MOSFET

SiC MOSFET,1200V, 40mΩ

常温下耐压高达1200V负载电流可达36A的碳化硅MOSFET

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

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碳化硅MOS 驱动电容兼容-4V+15V

特性:优化封装,带有独立驱动源引脚。高阻断电压,低导通电阻。高速开关,低电容。快速且坚固的本征体二极管。易于并联。应用:开关电源。DC/DC 转换器

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))典型值为160mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的高温稳定性、快速开关响应及低反向恢复电荷,适用于高频率、高效率的功率转换场景。典型应用涵盖高效开关电源、可再生能源发电系统、储能变换装置及高功率密度电源模块。