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这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有29A的连续漏极电流能力与650V的漏源电压耐受水平,导通电阻为60mΩ,保证了较低的功率损耗。其栅源电压工作范围达到15V,适合于需要高效能和稳定性的电路设计中使用。该器件适用于要求高效率、快速开关速度及紧凑设计的各种电子设备,如高性能电源转换器和个人电子产品中的能量管理系统。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)为9A,导通电阻(RDS(on))典型值为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性,该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备等场景。

SiC MOSFET,650V, 15mΩ

SiC MOSFET,1200V, 16mΩ

该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID达99A,漏源击穿电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件具备高耐压与低导通损耗特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景,可在高频开关条件下保持稳定性能,适合用于各类高效电源系统及能量变换装置中。

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作,能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。

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特性:高速开关。基本无开关损耗。减少散热器需求。最高工作温度175°C。高阻断电压。具有低恢复电流的快速本征二极管。应用:功率因数校正(PFC)。太阳能逆变器

特性:高压、低导通电阻。 高速、寄生电容小。 高工作结温。 快速恢复体二极管。应用:光伏逆变器。 UPS电源

SiC MOSFET,1200V, 160mΩ

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基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。

SIC MOSFET 1500V40mΩ

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

基于第二代碳化硅沟槽技术,650 V MOSFET 提供卓越的性能、高可靠性和易用性。它实现了具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

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本产品为N沟道增强型碳化硅场效应管(MOSFET),采用宽禁带半导体材料,具备优异的高频与高温工作能力。其漏极电流ID可达81A,漏源击穿电压VDSS高达1200V,导通电阻RDON低至21毫欧,显著降低导通损耗,提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、高效能量转换系统及高性能电力电子装置,支持小型化与高效率的设计需求。

SiC 模块,650V,25mΩ

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