碳化硅
onsemi(安森美)H-PSOF8L(9.9x11.68)
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)HSOF-8
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Infineon(英飞凌)HDSOP-22
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Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅 (SiC) 功率MOSFET产品线提高了性能,优于硅MOSFET和硅IGBT解决方案,同时降低了高压应用的总体拥有成本。该器件是一款700 V、15 mΩ的SiC MOSFET,采用TO-247封装。
MICROCHIP(美国微芯)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1700V超高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达72A,适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能,是现代电力电子设备的核心部件。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-3L
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特性:典型RDS(on) = 12 mΩ @ VGS = 18 V。 典型RDS(on) = 15 mΩ @ VGS = 15 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 283 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 430 pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175°C。应用:SMPS(开关电源)。 太阳能逆变器
onsemi(安森美)TO-247-4L
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特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装,漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷Qrr。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动
CREE LEDTO-247-4
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特性:VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDCC = 225 A at TVj = 25°C。 RDSS(on) = 7 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.2 V。 抗寄生导通能力强,可施加 0 V 关断栅极电压。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
Infineon(英飞凌)TO-247-3
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750V 碳化硅功率 MOSFET,具备低导通电阻、高速开关、雪崩耐受特性,兼容并联驱动,采用 TO252 封装,符合无卤素 RoHS 标准,适用于太阳能逆变器、开关电源、高压 DC/DC、充电器及电机驱动等场景。
WXNSIC(国硅集成)TO-252
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SiC MOSFET,650V, 260mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-220F
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SiC MOSFET,1200V, 160mΩ@15V
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1200V, 160mΩ@15V
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET 650V,65mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高速开关。 极低的开关损耗。 高阻断电压和低导通电阻。 关断开关损耗与温度无关。 无卤,符合RoHS标准。应用:PV串式逆变器。 太阳能功率优化器
Megain(美佳音)TO-247-4
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Megain(美佳音)TO-247-3
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碳化硅MOS,高频大功率应用,低损耗
REASUNOS(瑞森半导体)TO-247-3
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碳化硅MOS 1700V650毫欧
Tokmas(托克马斯)TO-263-7L
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特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源
Megain(美佳音)TO-247-4
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SiC MOSFET,650V, 15mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)Q-DPAK
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