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SiC;1个N沟道;VDSS:1200V;ID:85A;VGS:-4~22V;VTH:3.5V;RDS(ON):12mΩ;PD:315W

SiC;1个N沟道;VDSS:1200V;ID:150A;VGS:-4~22V;VTH:3.5V;RDS(ON):12mΩ;PD:675W

650V20m欧姆 0负压驱动原有硅MOS驱动不用更改完全兼容

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SIC MOSFET 1200V21mΩ

特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,易于实现栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 用于硬换相的坚固体二极管。应用:能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器

特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器和太阳能优化器

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750 V CoolSiCTM 基于成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料的特性,750 V CoolSiCTM MOSFET集卓越性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣的工作环境,能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率

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特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25°C。 IDDC = 20 A,TC = 100°C。 RDS(on) = 78 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200°C。 短路耐受时间 2 μs。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电

特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 80mΩ(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2 至 4V。应用:不对称桥。 转换器

特性:典型RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 18 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 80 pF)。 100% 雪崩测试。 此器件无卤,符合RoHS指令7a豁免要求,二级互连无铅。应用:太阳能逆变器。 电动汽车充电站

特性:典型导通电阻 RDS(on)=60 mΩ。 超低栅极电荷(典型值 QG(tot)=87 nC)。 低有效输出电容(典型值 Coss=113 pF)。 100% 经过 UL 测试。 这些器件符合 RoHS 标准。应用:UPS。 DC/DC 转换器

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基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,650V产品可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能实现经济高效、高度高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

基于英飞凌坚固的第二代碳化硅沟槽技术,650 V产品可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

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特性:革命性半导体材料:碳化硅。极低的开关损耗。无阈值导通特性。IGBT兼容驱动电压(导通电压18V)。0V关断栅极电压。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。应用:车载充电器/PFC。升压/DC-DC转换器