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特性:适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管,低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。推荐栅极驱动电压0 V至18 V。.XT互连技术,实现一流的热性能。应用:开关电源。太阳能光伏逆变器

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基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,650V MOSFET 提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。

SIC MOSFET 1200V14mΩ

碳化硅 (SiC) 功率MOSFET产品线相比硅MOSFET和硅IGBT解决方案提高了性能,同时降低了高压应用的总体拥有成本。该产品采用TO-247封装。

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碳化硅 (SiC) 功率MOSFET产品线可提高性能,同时降低高压应用的总体拥有成本。该器件是一款采用TO-247封装的1200 V、25 mΩ SiC MOSFET。

基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,650V产品可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

特性:典型导通电阻RDS(on):在VGS = 15 V时为60 mΩ;在VGS = 18 V时为43 mΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 88 nC。 低电容高速开关(Coss = 115 pF)。 100%雪崩测试。 结温TJ = 175°C。 无卤化物,符合RoHS标准(豁免7a),二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器

碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线相比于硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案提高了性能,同时降低了高压应用的总体拥有成本。该产品采用带源极检测的 TO-247 封装。

碳化硅

750V产品基于超过20年研发的碳化硅技术。利用宽带隙SiC材料特性,750V MOSFET兼具性能、可靠性和易用性。适用于高温和恶劣操作环境,可实现最高系统效率的简化和经济部署。

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特性:典型导通电阻RDS(on) = 65mΩ(VGS = 18V时)。 超低栅极电荷QG(tot) = 57nC。 低电容高速开关(Coss = 57 pF)。 100%雪崩测试。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序能力。 该器件无卤,符合RoHS豁免7a,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

是一款750V、33mΩ的G4 SiC FET。基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装,以生产常关SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。采用TO247-4封装,该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,使其非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。