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二极管 / 晶体管型号

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特性:VDSS = 1200 V at TVj = -55...175°C。 IDDC = 100 A at TC = 25°C。 RDS(on) = 19 mΩ at VGS = 20 V, TVj = 25°C。应用:车载充电器

Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅

onsemi(安森美)D2PAK7(TO-263-7L-HV)
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

ST(意法半导体)HU3PAK
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)PG-HDSOP-22
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 DC/DC转换器

ROHM(罗姆)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)PG-TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:漏源极电压(V_DSS) = 1200V。 额定漏极电流(I_D~nom) = 240A。 可高速开关。 高功率密度。 可高频运行。 超低损耗。应用:伺服驱动器。 UPS系统

SICHAIN(清纯)插件,62.8x56.8mm
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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QNHCHIP(乾能惠)TO-92
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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QNHCHIP(乾能惠)TO-92
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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QNHCHIP(乾能惠)TO-92
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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QNHCHIP(乾能惠)TO-92
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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QNHCHIP(乾能惠)TO-92
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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QNHCHIP(乾能惠)TO-92
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TOLL-8
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-263-7L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1700V, 650mΩ

Bestirpower(萃锦半导体)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Bestirpower(萃锦半导体)TOLL-8
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOS,650V,34mR,TOLT

HIMINGWAY(海明微)TOLT
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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