海量元器件型号，
快速搜索匹配。

特性:高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT兼容驱动电压(导通时为15V)。 完全可控的dv/dt。 高阻断电压和低导通电阻。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用:车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器

SiC MOSFET,650V, 45mΩ@18V

SiC MOSFET,650V,27mΩ

SiC MOSFET,650V, 45mΩ@18V

SiC MOSFET,1200V, 35mΩ

SIC MOSFET 750V40mΩ

公开页面暂无产品说明。

SiC MOSFET,1200V, 16mΩ

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 抗闭锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关模式电源

SIC MOSFET 1200V27mΩ

SIC MOSFET 1200V23mΩ

公开页面暂无产品说明。

特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25°C。 IDDC = 15 A,TC = 100°C。 RDSS(on) = 115.7 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 可在高达 TVj = 200°C 的过载条件下运行。 短路耐受时间为 2 μs。应用:电动汽车充电。 在线不间断电源/工业不间断电源

特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25°C。 IDDC = 55 A,Tc = 25°C。 RDSS(on) = 39 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDD(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电

基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

特性:典型RDS(on) = 160 mΩ。 超低栅极电荷(典型QG(tot) = 33.8 nC)。 低有效输出电容(典型Coss = 50.7 pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175°C。 该器件无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,650V MOSFET将性能、可靠性和易用性独特结合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。

特性:CRM G2 SIC MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 雪崩耐用性。 快速反向恢复。应用:太阳能逆变器。 高压DC/DC转换器

公开页面暂无产品说明。

这款碳化硅场效应晶体管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,在该配置中,常开型碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)共同封装,以制成常关型碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT)、硅场效应晶体管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO - 247 - 3L封装,具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用