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特性:VDSS = 1200 V,TVj = -55...175°C。 IDDC = 30 A,TC = 25°C。 RDS(on) = 80 mΩ,VGS = 20 V,TVj = 25°C。应用:车载充电器

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S2M0080120D是一款采用TO - 247AD封装的单碳化硅(SiC)功率MOSFET。该器件为高压n沟道增强型MOSFET,总传导损耗极低,且在极端温度条件下开关特性非常稳定。S2M0080120D非常适合在严苛环境下对能量敏感的高频应用

该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID达108A,漏源击穿电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)低至20mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料的优异特性,在高频、高效率电力转换场景中表现出色,适用于对开关速度与能效要求较高的电源系统,可有效降低导通与开关损耗,提升整体运行效率与热管理性能。

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碳化硅 (SiC) 功率MOSFET产品线可提高性能,同时降低高压应用的总体拥有成本。该器件是一款1200V、80mΩ的SiC MOSFET,采用带源极感应的TO-247 4引脚封装。

特性:典型RDS(on) = 80 mΩ。 超低栅极电荷(典型QG(tot) = 56 nC)。 低有效输出电容(典型Coss = 80 pF)。 100% UIL测试。 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 低阻抗封装,驱动源引脚,漏源之间爬电距离7mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

VDS=1200V/Id=50.5A,Rds(on)=40mΩ/Qg=105nC /Ciss=2530pF/Trr=37.23nS

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这款碳化硅场效应晶体管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)共同封装,形成常关碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管(Si IGBT)、硅场效应晶体管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用D2PAK-7L封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

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碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装

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这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻RDS(on),同时具备低电容和非常高的开关操作性能,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

汽车级碳化硅功率 MOSFET 1200 V、75 mOhm(典型值)、33 A,采用 HiP247-4 封装

此碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,同时具备低电容和极高的开关操作性能,可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量方面的性能。

碳化硅 (SiC) 功率MOSFET产品线提高了性能,优于硅MOSFET和硅IGBT解决方案,同时降低了高压应用的总体拥有成本。该器件是一款700 V、15 mΩ的SiC MOSFET,采用TO-247封装。