特性:高速开关。极低的开关损耗。IGBT 兼容驱动电压(导通时为 15V)。完全可控的 dv/dt。高阻断电压,低导通电阻。具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用:车载充电器/PFC。电动汽车电池充电器
SICHAIN(清纯)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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1200V40毫欧
Tokmas(托克马斯)TOLL-8L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1200V, 21mΩ@18V
Bestirpower(萃锦半导体)TO-263-7L
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Infineon(英飞凌)HSOF-8-2
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:典型导通电阻RDS(on) = 65 mΩ(VGS = 18 V时)。 超低栅极电荷QG(tot) = 57 nC。 低电容高速开关(Coss = 57 pF)。 100%雪崩测试。 该器件无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:太阳能逆变器。 电动汽车充电站
onsemi(安森美)TO-247-3L
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-3
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特性:典型导通电阻:在栅源电压为18V时为32mΩ。 超低栅极电荷:Qg(tot)=55nC。 低电容高速开关:Coss = 114pF。 100%雪崩测试。 无卤且符合RoHS豁免7a,二级互连无铅。应用:开关电源。 太阳能逆变器
onsemi(安森美)TO-247-4L
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onsemi(安森美)D2PAK
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Infineon(英飞凌)TO-247-4
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特性:典型RDS(on) = 56mΩ,VGS = 18V。 典型RDS(on) = 75mΩ,VGS = 15V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 59nC)。 低有效输出电容 (Coss = 109pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175°C。应用:开关电源 (SMPS)。 太阳能逆变器
onsemi(安森美)H-PSOF8L
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Infineon(英飞凌)TO-263-7
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这种碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代碳化硅MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
ST(意法半导体)HiP247-4
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特性:典型导通电阻RDS(on) = 29mΩ(VGS = 18V时)。 超低栅极电荷QG(tot) = 107nC。 低电容高速开关(Coss = 106pF)。 100%雪崩测试。 该器件无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:太阳能逆变器。 电动汽车充电站
onsemi(安森美)D2PAK-7
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Infineon(英飞凌)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC模块 1200V, 18mQ@18V
Bestirpower(萃锦半导体)SOT-227
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WOLFSPEEDTO-247-3
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onsemi(安森美)TO-247-4L
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碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247封装
ST(意法半导体)H2PAK-2
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碳化硅功率 MOSFET 650 V、55 mOhm(典型值)、45 A,采用 HiP247 长引线封装
ST(意法半导体)TO-247
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碳化硅
onsemi(安森美)D2PAK7(TO-263-7L-HV)
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