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特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用:电动汽车充电器。 服务器和电信电源

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基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术,利用宽带隙碳化硅材料特性,具备高性能、高可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的工作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。

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特性:VDSS = 1200 V(TVj = 25°C时)。 IDDC = 57 A(TC = 100°C时)。 RDS(on) = 22 mΩ(VGS = 18 V,TVj = 25°C时)。 极低的开关损耗。 过载运行可达TVj = 200°C。 短路承受时间2 μs。应用:通用驱动器(GPD)。 电动汽车充电

特性:适用于高频开关和同步整流。 换向稳健的快速体二极管,具有低Qfr。 低RDS(on)温度依赖性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 推荐栅极驱动电压0V至18V。 .XT互连技术,实现一流的热性能。应用:开关电源。 太阳能光伏逆变器

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750V产品基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料的特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的工作环境,可实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。

采用 HiP247 封装的汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C)

是单颗碳化硅(SiC)功率MOSFET,采用TO-263-7封装。该器件是高压n沟道增强型MOSFET,在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。

特性:典型导通电阻:在栅源电压为 18V 时为 23mΩ。 超低栅极电荷:总栅极电荷为 69nC。 低电容高速开关:输出电容为 153pF。 100% 雪崩测试。 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序能力。 无卤化物,符合 RoHS 豁免 7a 标准,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

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碳化硅

该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,同时具有低电容和非常高的开关操作性能,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量方面的性能。

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碳化硅功率MOSFET,1200 V、45 A、90 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装