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基于第二代碳化硅沟槽技术,650 V MOSFET 可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

碳化硅功率 MOSFET 650 V、119 A、18 mOhm(典型值 TJ = 25 C),采用 HiP247 长引线封装

碳化硅功率MOSFET,650 V、119 A、18 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装

特性:典型RDS(tot) = 22 mΩ,VGS = 18 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 151 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 244 pF)。 100%雪崩测试。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备72A的电流处理能力(ID),并支持高达1700V的漏源电压(VDSS),确保了在高压环境下的稳定运行。其低至45毫欧的导通电阻(RDSON)有助于降低热损耗,提高电路效率。适用于需要高效能与高可靠性的电源管理解决方案,例如在复杂电子设备中的电源转换单元或精密电子装置内的功率调节模块中,能够发挥出色的开关特性。

SiC MOS,700V,260mR,PDFN5*6

SiC MOS,700V,260mR,TO252-2L

SiC MOS,700V,260mR,TO220F-3L

SiC MOS,700V,190mR,TO220F-3L

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和5.1A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为820mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和较低的开关损耗,在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑高效的电路设计。

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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)、11A的连续漏极电流(ID)以及165mΩ的导通电阻(RDS(on)),栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频工作时仍能保持较低的导通与开关损耗,并具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源系统中的功率转换模块以及对体积和散热有严苛要求的电力电子设备。

该N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有650V的漏源击穿电压(VDSS),在25°C条件下可支持5.1A的连续漏极电流(ID)。其导通电阻(RDS(on))典型值为820mΩ,在栅源电压(VGS)范围为-8V至+20V时能稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备较高的耐压能力和较低的开关损耗,适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景,如服务器电源、通信电源及可再生能源系统中的功率变换模块。

SIC MOSFET 1200V160mΩ

该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为75mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低RDS(on)有助于减小导通功耗,提升系统整体能效,同时支持紧凑型电路布局。

该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流、800V的漏源击穿电压,导通电阻为165mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。其采用碳化硅材料,具有高耐压能力与优异的高频开关特性,在高温或高效率要求的电源系统中表现稳定,适用于如服务器电源、光伏逆变器、不间断电源及高频率DC-DC转换器等应用场景。

SiC MOSFET,1200V,40mΩ

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至110mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V,确保可靠的开关控制与稳定性。基于碳化硅材料的特性,器件具有优异的高频开关性能和高温工作能力,可有效降低系统热损耗。典型应用包括高密度电源转换器、可再生能源发电设备中的逆变电路、不间断电源系统以及高要求的开关电源模块,适合对功率密度和能效有严格要求的场景。