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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻低至26mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。其宽电压驱动能力有助于提升开关可靠性,低导通电阻可有效降低导通损耗。器件适用于高效率、高频率的电源转换系统,如服务器电源、通信电源及可再生能源发电设备中的功率变换环节,在高温或高频工况下仍能维持稳定电气特性。

碳化硅

特性:VDSS = 1200 V,在 TVj = -55...175°C。 IDDC = 38 A,在 TC = 25°C。 RDS(on) = 60 mΩ,在 VGS = 20 V,TVj = 25°C。应用:车载充电器

碳化硅

特性:典型导通电阻:VGS = 18V 时为 44mΩ;VGS = 15V 时为 60mΩ。 超低栅极电荷(QG(tot) = 74nC)。 低电容(Closs = 133pF)。 100%雪崩测试。 结温 TJ = 175°C。 该器件无卤,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连无铅。应用:开关电源(SMPS)。 太阳能逆变器

基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,可实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。

基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。

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特性:非常低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强,可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。应用:驱动器。 基础设施-充电器

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是单颗碳化硅功率MOSFET,采用TO-247-4封装。该器件是高压n沟道增强型MOSFET,在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。

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S2M0025120D是一款采用TO - 247AD封装的单颗碳化硅(SiC)功率MOSFET。该器件为高压n沟道增强型MOSFET,总传导损耗极低,且在极端温度条件下开关特性非常稳定。S2M0025120D非常适合在严苛环境下对能量敏感的高频应用

基于第二代碳化硅沟槽技术,650V MOSFET 可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

S2M0025120K是一款采用TO - 247 - 4封装的单颗碳化硅(SiC)功率MOSFET。该器件为高压n沟道增强型MOSFET,总传导损耗极低,且在极端温度条件下开关特性非常稳定。S2M0025120K非常适合在恶劣环境下对能量敏感的高频应用

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特性:典型导通电阻RDS(on) = 40 mΩ。 超低栅极电荷(典型QG(tot) = 106 nC)。 低有效输出电容(典型Coss = 139 pF)。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序能力。 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

特性:典型导通电阻 (RDS(on)): 40 mΩ。 超低栅极电荷 (典型值 QG(tot) = 106 nC)。 低有效输出电容 (典型值 Coss = 140 pF)。 100% UIL 测试。 该器件无卤,符合 RoHS 指令豁免条款 7a,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC 转换器

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