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SiC MOS,700V,190mR,TO220-3L

SiC MOSFET,800V, 380mΩ

耐压:750V 电流:15.5A N 型 碳化硅 场效应管

该N沟道碳化硅MOSFET具有8.6A的连续漏极电流与800V的漏源击穿电压,导通电阻为525mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温性能与开关特性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频开关应用中表现突出,可有效提升系统整体能效与可靠性。

SiC MOS,1200V,120mR,263顶部散热

SiC MOS,1200V,120mR,TO247-4L(HC)

SiC MOS,1200V,32mR,QDPAK

SiC MOS,1200V,32mR,TSCPAK

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特性:高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT 兼容驱动电压(导通时为 18V)。 完全可控的 dv/dt。 高阻断电压和低导通电阻。 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。应用:车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器

VDS=1200V/Id=35A,Rds(on)=80mΩ/Qg=58nC /Ciss=1377pF/Trr=57nS

特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 用于硬换向的坚固体二极管。应用:能源发电。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

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是单颗碳化硅功率MOSFET,采用TO-263-7封装。该器件是高压n沟道增强型MOSFET,在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。

VDS=650V/Id=80A,Rds(on)=30mΩ/Qg=97.6nC /Ciss=2333pF/Trr=19.52nS

1700V45mΩ

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。应用:电动汽车电池充电器。 高压直流/直流转换器

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基于第二代碳化硅沟槽技术,提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。