海量元器件型号，
快速搜索匹配。

碳化硅二极管,650V,25mΩ

SiC MOS,1200V,24mR,TO263-7L

SiC MOS,1200V,24mR,TO247-4L(HC)

SiC MOS,1200V,24mR,QDPAK

特性:G3RTM(第三代)技术。 RDS(ON)的低温系数。 较低的QG和较小的RGS(INT)。 低器件电容(COSS、CRSS)。 LoRingTM-电磁优化设计。 卓越的性价比指数。应用:辅助电源。 太阳能逆变器

该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至20mΩ,适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至+25V,具备良好的驱动兼容性与开关特性。器件基于碳化硅材料,相较传统硅基器件在高温和高压条件下表现出更低的导通损耗与更高的系统效率,适合用于对能效和热管理要求较高的电力电子应用中。

公开页面暂无产品说明。

这款碳化硅场效应晶体管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)共同封装,形成常关碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管(Si IGBT)、硅场效应晶体管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用D2PAK-3L封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,与推荐的RC缓冲器配合使用时,非常适合用于开关感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压和低导通电阻。 低电容高速开关。 快速本征二极管,低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。 降低开关损耗,最小化栅极振铃。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

SiC MOS,700V,260mR,DFN8*8

SiC MOS,700V,190mR,DFN8*8

SiC MOS,650V,120mR,263顶部散热

SiC MOSFET,1700V, 650mΩ@18V

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和5.1A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为820mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,适用于需要高耐压与中等电流能力的电力电子场合。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温稳定性和开关性能,在高频、高效率的电源转换系统中可实现更低的导通与开关损耗。由于其宽电压驱动能力,便于与多种驱动电路兼容,适合对能效和热管理有较高要求的应用场景。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)达9A,导通电阻(RDS(ON))为410mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备低导通损耗与优异的高频开关特性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景,在提升系统能效与功率密度方面具有显著优势。

该N沟道碳化硅MOSFET具有8.6A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压,导通电阻为525mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性,在高电压应用中展现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。其低导通损耗有助于提升整体能效,同时支持高频操作,简化外围电路设计。

SiC MOS,1200V,120mR,TO247-3L

耐压:800V 电流:36A N型 碳化硅 场效应管

SiC MOS,650V,44mR,TOLL

SiC MOS,650V,44mR,TO263-7L