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NCE(无锡新洁能)TO-220F
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOS,650V,60mR,263顶部散热
HIMINGWAY(海明微)TSC263-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TOLL-8
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOS,1200V,32mR,TO247-4L
HIMINGWAY(海明微)TO247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOS,1200V,32mR,TO247S-4L
HIMINGWAY(海明微)TO247S-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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常温下耐压高达650V负载电流可达39A的碳化硅MOSFET
HTCSEMI(海天芯)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)QDPAK-22L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TOLT-16
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NCE(无锡新洁能)TO-263-7L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:G3R技术,+15V栅极驱动。RDS(ON)与温度的相关性更平缓。LoKing技术。电磁优化设计。更小的RGS(INT)和更低的QG。低器件电容(Coss、CRSS)。应用:太阳能逆变器。电动汽车/混合动力汽车充电
Navitas(纳微)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:G3R技术。 RDS(ON)与温度的相关性更平缓。 LoRing电磁优化设计。应用:太阳能(光伏)逆变器
Navitas(纳微)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:G3R SiC MOSFET技术。卓越的QG x RDS(ON)品质因数。低电容和低栅极电荷。正常关断,最高可在175°C稳定运行。快速可靠的体二极管。高雪崩和短路耐受性。应用:太阳能逆变器。电动汽车/混合动力汽车充电
Navitas(纳微)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Navitas(纳微)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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基于第二代碳化硅沟槽技术,650 V MOSFET 可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。它能够实现经济高效、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。
Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:G3RTM技术,+15V栅极驱动。 更软的RDS(ON)与温度相关性。 LoKingTM。 电磁优化设计。 较小的RGS(INT)和较低的QG。 低器件电容(COSS,CRSS)。应用:电动汽车快速充电。 太阳能逆变器
Navitas(纳微)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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尺寸:61.4mmx106.4mmx30mm 碳化硅MOS模块1200V4毫欧
Tokmas(托克马斯)螺栓安装
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)QDPAK-22L
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3L
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