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基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。

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基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。

碳化硅功率MOSFET,1200 V、12 A、520 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装

这款碳化硅功率MOSFET器件采用第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作,可在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面提高应用性能。

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特性:新的C3M碳化硅MOSFET技术。 带驱动源极引脚的新型低阻抗封装。 高阻断电压,低导通电阻。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 低输出电容(60pF)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、40 mOhm(典型值)、30​​ A,采用 H2PAK-7 封装

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特性:- VDSS = 2000 V 在 TVj = 25°C时。IDCC = 26 A 在 Tc = 25°C时。RDS(on) = 100 mΩ 在 VGS = 18 V,TVj = 25°C时。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。用于硬换相的坚固体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器

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特性:VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。 用于硬换向的坚固体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器

这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25°C。 IDDC = 127 A,Tc = 25°C。 RDSS(on) = 14 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDD(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器(GPD)。 电动汽车充电