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SiC MOSFET,650V,260mΩ

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汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、12 A、520 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装

SIC;TO247;N—Channel沟道,1200V;30A;RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V;Vth=2.5~4.5V;是一种单N型碳化硅功率MOSFET器件,采用SiC-S技术,适用于电力电子转换器、汽车电子模块等电子领域。

是单SiC功率MOSFET,采用SOT-227封装。该器件是高压n沟道增强型MOSFET,在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。适用于具有挑战性环境中的能量敏感型高频应用。

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SiC MOSFET,650V,25mΩ

SiC MOSFET,1200V, 40mΩ@18V

SIC MOSFET 1200V27mΩ

特性:C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用:可再生能源。 高压DC/DC转换器

S2M0016120K是一款采用TO - 247 - 4封装的单颗碳化硅(SiC)功率MOSFET。该器件为高压n沟道增强型MOSFET,总传导损耗极低,且在极端温度条件下开关特性非常稳定。S2M0016120K非常适合在恶劣环境下对能量敏感的高频应用

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用:太阳能逆变器。 开关电源

特性:典型RDS(on) = 80 mΩ。 超低栅极电荷:典型QG(tot) = 56 nC。 低有效输出电容:典型Coss = 80 pF。 100% UIL测试。 符合AEC-Q101标准。 这些器件符合RoHS标准。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车DC/DC转换器

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特性:VDSS = 1200 V,在 TVj = -55...175°C。IDDC = 17 A,在 TC = 25°C。RDS(on) = 160 mΩ,在 VGS = 20 V,TVj = 25°C。应用:车载充电器

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。