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采用英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。

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特性:VDSS = 1200 V,温度范围为 -55°C至175°C。 IDDC = 31 A,温度为25°C。 RDS(on) = 80 mΩ,VGS = 20 V,温度为25°C。应用:车载充电器

特性:极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强,可施加0V关断栅极电压。 用于硬换流的强健体二极管。应用:驱动器。 基础设施-充电器

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该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,同时具有低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

碳化硅

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碳化硅

碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线提高了相对于硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案的性能,同时降低了高压应用的总体拥有成本。是一款 1700 V、750 mA 的 SiC MOSFET,采用 TO-247 封装。

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特性:VDSS = 1200 V,TVj = -55...175°C。 IDDC = 55 A,TC = 25°C。 RDSS(on) = 40 mΩ,VGS = 20 V,TVj = 25°C。应用:车载充电器

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特性:VDSS = 1200 V,Tvj = 25°C。 IDDC = 53 A,Tc = 100°C。 RDS(on) = 25.4 mΩ,VGS = 18 V,Tvj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达Tvj = 200°C。 短路耐受时间2 μs。应用:电动汽车充电。 在线式UPS/工业UPS

碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装

碳化硅

特性:VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C。 IDDC = 43 A at Tc = 100°C。 RDS(on) = 34 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达 Tvj = 200°C。 短路耐受时间 2 μs。应用:电动汽车充电。 在线式 UPS/工业 UPS