特性:革命性的半导体材料。 碳化硅:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 IGBT兼容驱动电压(导通电压15V)。 关断栅极电压0V。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。应用:车载充电器/PFC。 升压器/DC-DC转换器
Infineon(英飞凌)TO-247-3-41
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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QorvoTO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:典型RDS(on) = 40 mΩ。 超低栅极电荷(典型QG(tot) = 106 nC)。 低有效输出电容(典型Coss = 139 pF)。 100%雪崩测试。 Tj = 175°C。 该器件无卤,符合豁免条款7a的RoHS标准,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器
onsemi(安森美)D2PAK-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)TO-247-3-41
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Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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onsemi(安森美)TO-247-3LD
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碳化硅
onsemi(安森美)D2PAK7(TO-263-7L-HV)
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-4
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ST(意法半导体)H2PAK-7
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Infineon(英飞凌)TO-247-3
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基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。
Infineon(英飞凌)SOP-22
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。
Infineon(英飞凌)HDSOP-22
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-3
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onsemi(安森美)D2PAK-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅
onsemi(安森美)D2PAK7(TO-263-7L-HV)
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碳化硅功率 MOSFET 1200 V、21 mOhm(典型值)、91 A,采用 HiP247-4 封装
ST(意法半导体)HiP-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅(SiC)功率MOSFET产品线提升了相对于硅MOSFET和硅IGBT解决方案的性能,同时降低了高压应用的总体拥有成本。MSC400SMA330B4器件是一款采用带源极检测的TO - 247四引脚封装的3300 V、400 mΩ SiC MOSFET。
MICROCHIP(美国微芯)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、20 mOhm(典型值,TJ = 25°C),HiP247封装
ST(意法半导体)HiP-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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onsemi(安森美)TO-247-4L
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MICROCHIP(美国微芯)TO-247-4
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