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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))低至110mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V,支持可靠驱动与负压关断,提升系统稳定性。基于碳化硅材料特性,器件具有优异的高温工作性能和快速开关能力,适用于高频率、高效率的电力转换电路。广泛用于高性能电源模块、可再生能源发电单元、服务器电源系统及对功率密度和热管理要求较高的电力电子设备中。

本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压(VDSS)和24A连续漏极电流(ID),导通电阻低至110mΩ,可有效减少导通损耗,提升系统能效。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定栅极控制,增强开关可靠性。基于碳化硅材料特性,器件具有优异的高温工作性能、耐高压能力和快速开关响应,适用于高频率、高功率密度的电路设计。广泛用于高效电源转换系统、可再生能源逆变装置、高压直流变换模块及高性能电力电子设备中,满足对热管理与能效表现要求较高的应用场景。

该N沟道碳化硅MOSFET具有34A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为95mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于对效率和功率密度要求较高的应用场景,如数据中心电源、光伏逆变系统以及高频率AC-DC或DC-DC转换器等。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和36A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为75mΩ,栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和热稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在多种高电压开关应用中表现出色,同时宽栅压范围提升了驱动兼容性与系统设计灵活性。

该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。其采用碳化硅半导体结构,在高频开关条件下可实现较低的导通与开关损耗,并具有良好的热导性能。适用于高效率电源、光伏逆变器、服务器供电系统及对功率密度和能效有明确要求的电力电子应用场合。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和36A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为75mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和热稳定性,适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效,同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为45mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高性能计算设备中的功率管理模块。其宽栅压范围提升了驱动兼容性,同时有助于优化系统可靠性与热管理设计。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻为75mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统、可再生能源并网设备以及高密度电力电子模块中,能够支持紧凑型电路设计与长期稳定运行。

该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的漏极电流能力,漏源电压额定值为650V,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统,可在高电压、大电流环境下实现稳定运行,同时其宽栅压范围有助于适配多种驱动电路设计。

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性,在高频开关条件下仍能维持较低的导通与开关损耗。适用于对效率和热管理要求较高的电源系统,如数据中心供电、可再生能源转换装置及高密度开关电源等场合。

该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为30A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性,器件在高频开关操作中具有较低的导通损耗和良好的热稳定性,适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为45mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,在高频开关操作中展现出较低的导通损耗与优异的热性能,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其低RDS(on)有助于降低功耗,提升能效,而宽VGS范围则增强了与多种驱动方案的兼容性,适合用于对可靠性和紧凑性有较高要求的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效,适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。

该N沟道碳化硅MOSFET具有31A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,实现低导通损耗与高速开关能力,适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性,并在高温条件下维持可靠的电气性能。

该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为45mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通电阻有助于减小导通损耗,提升系统整体能效,同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为38A,漏源击穿电压为650V,导通电阻典型值为95mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,适用于多种驱动电路配置,有助于增强开关稳定性并抑制误导通。凭借碳化硅材料的固有优势,器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热性能,适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及对功率密度有较高要求的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为25A,漏源击穿电压达800V,导通电阻为165mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性,适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。

本款N沟道碳化硅场效应管具有800V漏源电压(VDSS)和13.3A连续漏极电流(ID),导通电阻为200mΩ,支持高效能功率转换。栅源电压范围-4V至+18V,确保驱动稳定性与器件可靠性。采用碳化硅材料,具备优异的高温工作能力、高开关频率特性及低开关损耗,适用于高密度电源系统,如大功率开关电源、光伏并网逆变单元、储能装置中的直流变换模块以及高性能电力转换平台,有助于提升系统效率并优化热管理设计。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS),连续漏极电流可达24A,导通电阻(RDS(on))低至110mΩ,有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性,器件具备优异的高温工作能力、耐压性能及快速开关响应,适用于高频率、高效率的功率变换拓扑。常见于高性能电源转换装置、可再生能源发电单元、数据中心电源系统及高压直流变换设备中,适用于对能效和热管理要求较高的应用场合。

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至110mΩ,可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定栅极控制并提升开关可靠性。基于碳化硅材料的高击穿场强与优异热导特性,器件适用于高频、高压工作环境。典型应用场景包括高效能电源转换系统、可再生能源发电中的逆变电路、以及紧凑型高功率密度电源模块,有助于提升整体系统效率并降低散热需求。