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该N沟道碳化硅MOSFET具有105A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,在高效率电源转换、可再生能源系统及高性能电力电子设备中表现出色。其低导通损耗和快速开关特性有助于提升整体系统能效与功率密度。

这款N沟道碳化硅场效应管具有卓越的性能参数,最大漏极电流ID为72A,能够支持高负载应用。其漏源电压VDSS高达1700V,适用于需要承受高压的工作环境。导通电阻RDON仅为45mΩ,有助于降低功耗并提高效率。栅源电压VGS范围在20V内,确保了良好的驱动兼容性。该器件适合于设计高效、紧凑且可靠的电源管理系统,以及在要求严格温度和频率特性的电子设备中使用。

该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))为20mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下展现出低导通损耗与快速开关响应,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换及高密度电力电子系统。

该N沟道碳化硅MOSFET具备210A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压达750V,导通电阻仅为11mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性,器件在高功率密度和高频开关条件下仍能保持低损耗与优异的热稳定性,适用于对效率、体积和动态响应要求严苛的电源转换系统。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流ID为99A,漏源击穿电压VDSS达650V,导通电阻RDS(on)为26mΩ,栅源电压VGS工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高电压、大电流条件下展现出较低的导通与开关损耗,适用于高频电源转换、可再生能源系统及高效率电力电子设备。其宽VGS范围提升了驱动电路的设计灵活性,同时低RDS(on)有助于优化热管理与系统整体能效。

该N沟道碳化硅MOSFET具有189A的连续漏极电流(ID)和750V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至11mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于高效率、高功率密度的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效,适合用于对性能和可靠性要求较高的电源管理与能量转换系统中。

该N沟道碳化硅MOSFET具有210A的连续漏极电流(ID)和750V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至11mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频开关特性和高温工作能力,适用于高效率、高功率密度的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关响应有助于提升系统整体能效,同时减少散热设计负担,适合对性能和可靠性要求较高的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具备165A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压达750V,导通电阻低至11mΩ,可在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料优势,在高电压、大电流条件下仍保持优异的开关速度与低损耗特性,适用于高功率密度电源系统、可再生能源转换设备以及对效率和热性能要求严苛的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻低至20mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性,器件在高频、高效率的电力转换场景中展现出较低的开关损耗与导通损耗,适用于对能效和热管理要求较高的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性,同时高耐压与大电流能力保障了在严苛电气环境下的稳定运行。

此款碳化硅场效应管(MOSFET)具备125A的电流承载能力(ID),并且拥有高达1200伏特的最大漏源电压(VDSS),适用于需要高电压耐受性和大电流通过的应用场景。其低至15毫欧姆的导通电阻(RDON)有助于减少电力损耗,增强系统效率。作为一款N沟道器件,它能在高速开关应用中提供优异的性能,适用于高频开关电源、不间断电源系统以及电力转换设备中的关键部件,确保在高压环境下依然保持稳定的电力传输和高效的能量转换。

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))为44mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和热稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压能力使其在高频开关应用中表现出色,同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与系统可靠性。

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有49A的连续排水电流(ID),并且能够承受最高650V的漏源电压(VDSS)。其导通电阻(RDSON)仅为45毫欧,这意味着在导通状态下电力损耗极低。该器件适合应用于要求高效能和低热量产生的电子设计中,例如在精密电源管理系统、高速数字电路以及需要快速开关特性的设备中,都能发挥其优异的性能表现。

商品目录 碳化硅MOS管 ;漏源电压(VDS)1200 V;漏极电流 (ID@25°C)36A;RDS(ON) 68mΩ;耗散功率(PD)192W

碳化硅

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碳化硅MOS 650V40毫欧

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