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共封装高性能 F3 SiC 快速 JFET 和共源共栅优化 MOSFET,以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列使用 4 引脚 TO247 封装实现非常快速的开关,并具有同类额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

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提供高性能G3碳化硅常开JFET晶体管。该系列具有超低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG),可实现低传导和开关损耗。该器件在VGS = 0 V时具有低RDS(ON)的常开特性,也适用于无需主动控制的电流保护电路以及共源共栅操作。

是 750V、58mΩ 的 G4 SiC FET,基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。采用 TO247-4 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

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该碳化硅场效应管器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应管与硅MOSFET共同封装,以制造出常关碳化硅场效应管器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”硅绝缘栅双极晶体管、硅场效应管、碳化硅MOSFET或硅超结器件。该器件采用TO247-3封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

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