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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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提供高性能G3碳化硅常开JFET晶体管。该系列具有超低导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (QG),可降低传导和开关损耗。该器件在VGS = 0V时具有低RDS(on)的常开特性,也适用于无需主动控制的电流保护电路以及共源共栅操作。
onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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onsemi(安森美)TO-220-3
二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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该碳化硅场效应晶体管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)共封装,以产生常关碳化硅场效应晶体管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管(Si IGBT)、硅场效应晶体管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO247-3封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
onsemi(安森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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QorvoTO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅结型场效应管(JFET)
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Qorvo-
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GeneSiC SemiconductorSOT-227-2
二极管 / 晶体管碳化硅晶闸管(可控硅)
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GeneSiC Semiconductor-
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GeneSiC SemiconductorSOT-227-2
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GeneSiC SemiconductorSOT-227-2
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GeneSiC Semiconductor-
二极管 / 晶体管碳化硅晶闸管(可控硅)
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GeneSiC Semiconductor-
二极管 / 晶体管碳化硅晶闸管(可控硅)
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650V, 160mΩ氮化镓(GaN)FET是常开器件。GaN FET通过较低的栅极电荷、更快的开关速度和较低的动态导通电阻提供更高的效率,比传统硅(Si)器件具有显著优势。
RealChip(正芯半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件
HTCSEMI(海天芯)PDFN-8L(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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单管650V200毫欧
Tokmas(托克马斯)DFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓MOS 650V50毫欧
Tokmas(托克马斯)TOLL
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓MOS 650V40毫欧
Tokmas(托克马斯)TOLT-16
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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