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为您献上高性能氮化镓场效应管,采用先进N沟道设计。该器件具备650V高漏源电压承受力,连续漏极电流高达17A,满足高功率需求。更令人瞩目的是其100毫欧低导通电阻,在确保电流顺畅通过的同时,大幅度降低能耗,提升系统效率。适配于各类高能效电源转换解决方案,为您的创新电子产品带来前所未有的速度与能效比,引领科技绿色升级。

为您精选的这款氮化镓场效应管,采用先进的N沟道设计,工作在高达650V的漏源电压下,能够承载连续17A的大电流,性能卓越。其导通电阻低至100毫欧,确保了极低的导通损耗和高效的能量转换。这款器件是高功率密度及高频应用的理想选择,特别适合追求极致效能的现代电子设计,为您的创新项目注入高效动力。

氮化镓 (GaN) 晶体管,专为 650 V 功率转换而设计。它能实现更高的功率密度,支持降低系统物料清单成本,并有助于实现小型化外形。采用 200 mm(8 英寸)晶圆技术和全自动化生产线生产,具有较窄的生产公差和较高的产品质量。适用于从消费电子到工业应用等广泛领域。

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单管650V480毫欧

氮化镓MOS 650V200毫欧

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为您推荐新一代氮化镓技术的N沟道场效应管,突破性地实现了650V高耐压与10A持续漏极电流的卓越组合。其160毫欧的低导通电阻,在确保高效能的同时,优化了电力转换效率。这款器件专为高能效电源转换与快速开关应用而生,是追求高性能、紧凑设计的理想元件。选择它,为您的创新电子项目注入澎湃动力。

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氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:8nC

氮化镓MOS管

Qg:9nC Qrr:11nC

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本款N沟道场效应管(MOSFET)具有650V的漏源击穿电压(VDSS),可承受最高10A的连续漏极电流(ID)。导通状态下,其导通电阻(RDON)低至160mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路及各类功率控制设备中,具备良好的热稳定性和响应速度,适合对性能和可靠性有较高要求的电子设计方案。

这款氮化镓晶体管(GaN HEMT)为N型设计,提供高达10A的导通电流(ID),并具备650V的最大漏源电压(VDSS)。该器件的导通电阻(RDON)为160毫欧,能够在高压环境下保持较低的功耗。栅源电压(VGS)的工作范围为-1.4V到+7V,适合用于多种电路设计中。其特性使其成为高频开关电源、消费类电子产品中的电源转换模块以及便携式设备充电解决方案的理想选择。

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特性:超快开关速度和高效率。 节省空间且高度可靠的封装。 无反向恢复电荷。 超低栅极电荷和输出电荷。 顶部散热出色的裸片暴露设计。 湿度等级MSL1。应用:电信和数据中心48V IBC。 AC-DC和DC-DC转换器的同步整流

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