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Innoscience(英诺赛科)WLCSP-12(1.6x1.6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Innoscience(英诺赛科)DFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PG-TSON-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)TSON-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)HSOF-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Nexperia(安世)WLCSP-6(1.5x2.5)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PG-TSON-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)TSON-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Innoscience(英诺赛科)TOLL-4L
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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TI(德州仪器)VQFN-38
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓极高的电子迁移率和低温系数允许非常低的导通电阻,而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的栅极电荷和零反向恢复电荷。最终结果是,该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCSMD-24P,4.6x2.6mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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TI(德州仪器)VQFN-52(12x12)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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TI(德州仪器)TOLL-9
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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DK(东科半导体)PDFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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特性:易于使用,与标准栅极驱动器兼容。 低Qrr,无需续流二极管。 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数)。 低开关损耗。 符合RoHS标准且无卤。应用:开关模式电源。 功率因数校正
Grenergy(南京绿芯)TO-220
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓(GaN)晶体管专为 650 V 功率转换而设计。它能够实现更高的功率密度,支持降低系统物料清单成本,并有助于实现小型化外形。采用 200 mm(8 英寸)晶圆技术和全自动化生产线生产,具有较窄的生产公差和较高的产品质量。这使其适用于从消费电子到工业应用等广泛领域。
Infineon(英飞凌)PG-TSON-8-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓极高的电子迁移率和低温系数允许极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。最终结果是,该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间有利的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCSMD-6P,2.1x0.9mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCLGA-4(1.7x0.9)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCSMD,2.5x1.5mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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