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GAN190 - 650FBE 是一款通用型 650 V、190 mΩ 的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用 5 mm x 6 mm DFN 表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件,性能卓越。

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GAN140 - 650EBE是一款通用型650 V、190 mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用8 mm x 8 mm的DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件,性能卓越。

是一款采用TO-247封装的650 V、97 mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管。它是一款常开型器件,结合了最新的高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术,具有卓越的可靠性和性能。

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GAN080 - 650EBE是一款通用型650 V、80 mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用8 mm x 8 mm的DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式(e - mode)器件,性能卓越。

GAN041 - 650WSB是一款采用TO - 247封装的650 V、35 mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。它是一款常关型器件,结合了安世半导体(Nexperia)最新的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)H2技术和低压硅MOSFET技术,具备卓越的可靠性和性能。

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650V GaN- on- Silicon Enhancement- mode Power Transistor in Dual Flat No- lead package (DFN) with 8mm × 8mm size

基于硅的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用尺寸为 4.0 mm x 6.0 mm 的 En-FCQFN 封装。

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是增强型氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。采用专利岛技术的单元布局,可实现高电流管芯和高良率。是底部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性结合在一起,可提供非常高效的功率开关。

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氮化镓极高的电子迁移率和低温系数允许极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。最终结果是,该器件可以处理需要非常高的开关频率和低导通时间的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。

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