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EPC-
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCSMD-6P,2.1x1.6mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCBGA-6
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数,可实现极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的QG和零QRR。最终结果是该器件能够处理高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCSMD-6P,2.8x0.9mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的导通电阻,而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷和零反向恢复电荷。最终结果是,该器件能够处理非常高的开关频率和低导通时间的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCSMD-6P,2.5x1.5mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓极高的电子迁移率和低温系数允许极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。最终结果是,该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCSMD
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCSMD-6P,2.8x1.4mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Innoscience(英诺赛科)FCLGA-8(5x6)
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GaN-on-Silicon增强模式高电子迁移率晶体管(HEMT),采用FCQFN封装,封装尺寸为4.0 mm x 6.0 mm。
Innoscience(英诺赛科)FCQFN-25(4x6)
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EPCBGA-30(6.1x2.3)
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EPCSMD-12P,2x2mm
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氮化镓极高的电子迁移率和低温系数允许极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。最终结果是,该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCLGA-8(3.5x2.0)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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EPCLGA-22(4.5x2.3)
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TRANSGAN40V33ABUMPEDDIE
EPCSMD
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EPCSMD-24P,4.6x2.6mm
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EPC-
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Ampleon(安谱隆)SOT-1227B
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TransphormPQFN-3(8x8)
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TransphormTO-247-3
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