海量元器件型号，
快速搜索匹配。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

单管650V480毫欧

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

这款氮化镓晶体管为N型,电流为10A,电压650V。适用于多种电子产品领域,能在较高电压下稳定工作,承载一定电流。具有高效、低损耗等特点,可提升电子产品的性能和稳定性,满足特定功率需求场景。

GAN063 - 650WSA是一款650 V、50 mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。它是一款常关型器件,结合了恩智浦(Nexperia)先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅MOSFET技术,具备卓越的可靠性和性能。

增强模式氮化镓(GaN)-硅功率晶体管。GaN的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。通过行业领先的创新,如获得专利的岛式技术和GaNPX封装。岛式技术的单元布局实现了高电流芯片和高良率。GaNPX封装在小尺寸封装中实现了低电感和低热阻。底部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结到外壳热阻。这些特性结合在一起,提供了非常高效的功率开关。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

集成GaNFET不仅具备E模式GaN的优点,还与常见的E模式GaN、Cascode GaN和Si MOSFET兼容。提供高击穿电压、高电流和高工作速度,适用于高功率应用。

集成 GaNFET 不仅具备 E 模式 GaN 的优势,还与常见的 E 模式 GaN、Cascode GaN 和 Si MOSFET 兼容。提供高击穿电压、高电流和高工作速度,适用于高功率应用。

是一款采用共源共栅配置的常关型氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件,具有高击穿电压、高电流和高工作速度,适用于高功率应用。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。