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特性:60W 峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备

特性:低工作电压:±5V。超低电容:典型值15pF。超低泄漏:nA级。低钳位电压。2引脚无铅封装。符合以下标准:IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±30kV,接触放电±30kV。应用:手机及配件。个人数字助理

特性:低漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±30 kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±30 kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20 μs):18 A。应用:手机及配件。 个人数字助理

这款低容静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

特性:150W 峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 高速数据线的瞬态保护,符合 IEC 61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)。 IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。 工作电压:24V。 保护一条双向线路或两条单向线路。 低工作和钳位电压。应用:USB 电源和数据线保护。 显示器和平板显示器

这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小,因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.

TVS管 /防静电芯片IC/USB3.5/TYPE-C/HDMI/快充@@TVS管,USB2.0 至 USB3.0 ,HDMI2.4

专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

有效防止浪涌和瞬变对电子设备造成损害,是中高电压环境下电源线、信号接口的理想防护组件。

该款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为5V系统提供高效过电压保护。拥有出色的双向峰值脉冲电流IPP能力高达21.7A,在正负方向均可快速响应瞬态电压变化,并有效钳位至安全水平,防止浪涌、静电放电对电路造成损害,适用于各类低电压高速接口和电源线的瞬态防护需求。

特性:150瓦峰值脉冲功率 (p = 8720μs)。 高速数据线的瞬态保护,符合IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气),38kV (接触),IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。 工作电压:5V。 保护一条双向线路或两条单向线路。 低工作和钳位电压。 固态硅雪崩技术。应用:USB电源和数据线保护。 显示器和平面显示器

712,7V/12V两路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:40pF;RS485/RS422串口通讯防护。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道高效保护。具有11A峰值脉冲电流IPP承受能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定。20pF低结电容设计有助于保持高速数据线路上的信号完整性,是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。

24V 单路双向ESD静电防护器件,30kV,CJ:15pF;CAN/CANFD、12V、24V电源防护。

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

适用于表面安装应用,以优化电路板空间。

表面贴装瞬态电压抑制器,功率400W。关断电压:5.0V~440V

这款低容静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。